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晶振 | VCXO
NV5032S[ ]

 c_NV5032S-multi_e.pdf

NV5032S[ ]

頻率可覆蓋15MHz to 2100MHz間的廣泛範圍(設定分解能:2×10-9)。

頻率選擇功能可從Dual、Quad、Any Rate中選擇

低抖動特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可對應5種輸出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

為對應低電源電壓:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可選擇頻率可變範圍 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的範圍內分9個等級

 


NV7050S[ ]

 c_NV7050S-multi_e.pdf

NV7050S[ ]

頻率可覆蓋15MHz to 2100MHz間的廣泛範圍(設定分解能:2×10-9)。

頻率選擇功能可從Dual、Quad、Any Rate中選擇

低抖動特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可對應5種輸出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

為對應低電源電壓:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可選擇頻率可變範圍 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的範圍內分9個等級


NV2520SA

 c_NV2520SA_NSA3458A_e.pdf

NV2520SA

小型薄型:尺寸2520、高度0.9mm

頻率可變範圍:±100×10-6以上

工作溫度範圍:-40 to +85°C

CMOS輸出、低消耗電流


NV3225SA

 c_NV3225SA_NSA3457A_e.pdf

NV3225SA

小型薄型:尺寸3225、高度0.9mm

頻率可變範圍:±100×10-6以上

工作溫度範圍:-40 ~ +85°C

CMOS輸出、低消耗電流

 


NV5032SB

 c_NV5032SB_e.pdf

NV5032SB

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封裝品。

輸出水平:CMOS

可對應頻率範圍 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗電流 : Max. 10mA


NV5032SA

 c_NV5032SA_e.pdf

NV5032SA

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封裝品。

輸出水平:CMOS

可對應頻率範圍 : 62MHz to 170MHz

低消耗電流 : Max. 35mA


NV5032SC

 c_NV5032SC_e.pdf

NV5032SC

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封裝品。

低相位噪音 (122.88MHz) : Typ. -127dBc/Hz (@1kHz), Typ. -156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖動 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗電流 (122.88MHz) : Typ. 46mA

可對應頻率範圍 : 1.25MHz to 62MHz

輸出水平 : LVPECL


NV7050SF

 c_NV7050SF_e.pdf

NV7050SF

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封裝品。

輸出水平:CMOS

可對應頻率範圍 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗電流 : Max. 10mA


NV7050SA

 c_NV7050SA_CMOS_e.pdf

 c_NV7050SA_PECL_e.pdf

 c_NV7050SA_NSA3459B_e.pdf

NV7050SA

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封裝品。

輸出水平:CMOS

可對應頻率範圍:35MHz to 170MHz

消耗電流:Max. 36mA


NV7050SA(低相位噪音)

 c_NV7050SA_LPN_e.pdf

NV7050SA(低相位噪音)

 7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封裝品。

低相位噪音(122.88MHz):Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖動 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗電流 (122.88MHz):Typ. 46mA

高頻率對應 : 100MHz to 200MHz

輸出水平:LVPECL


NV7050SA(高溫範圍)

 c_NV7050SA_w-temp_e.pdf

NV7050SA(高溫範圍)

可對應 -40 ~ +105°C的寬溫度範圍。

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封裝品。

低相位噪音:Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖動 : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗電流 :Typ. 46mA

高頻率對應 : 122.88MHz

輸出水平:LVPECL


NV11M09YA

 c_NV11M09YA_NSA3532A_e.pdf

NV11M09YA

頻率範圍:可對應75MHz到800MHz間的廣的頻率帶。 (PECL)

內置基波諧振器。 (210MHz以上是遞倍型)

低抖動:1ps以內

可選擇自主起振 / 自主停振功能

低電源電壓:3.3V


NV13M08YM

 c_NV13M08YM_NSA3530A_e.pdf

NV13M08YM

 J插件型的表面貼裝振盪器。

頻率範圍:從10MHz到125MHz(CMOS)

內置基波諧振器。

可選擇自主起振 / 自主停振功能

低電源電壓:3.3V


NV13M09WK

 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M09WK

由玻璃環氧電路板作基座,和金屬外殼構成此款SMD振盪器。

頻率範圍:10 MHz到125MHz(CMOS)

內置基波諧振器。

可選擇自主起振 / 自主停振功能

低電源電壓:3.3V


NV13M08YK

 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M08YK

J插件型的表面貼裝振盪器。

頻率範圍:可對應75MHz到800MHz間的廣的頻率帶。 (PECL)

低抖動:1ps以內

內置基波諧振器。 (210MHz以上是遞倍型)

可選擇自主起振 / 自主停振功能

低電源電壓:3.3V


NV13M09WN

 c_NV13M09WN_NSA3529A_e.pdf

NV13M09WN

由玻璃環氧電路板作基座,和金屬外殼構成此款SMD振盪器。

頻率範圍:可對應70MHz到800MHz間的廣的頻率帶。 (PECL)

低抖動:1ps以內

內置基波晶體諧振器。 (210MHz以上為遞倍型)

可選擇自主起振 / 自主停振功能

低電源電壓:3.3V

 


NV13M08YN

 c_NV13M08YN_NSA3512A_e.pdf

NV13M08YN

因為內置晶體諧振器,所以具有優良的頻率溫度特性。

低相位噪音、低抖動。 (Max.50fs)


NV11M09YA

 c_NV11M09YA_NSA3533A_e.pdf

NV11M09YA

通過外部輸入,可選擇622.08 MHz和FEC率(前向糾錯碼率)的頻率中的任一個頻率。

輸出電壓:LVPECL

為表面貼裝型產品。

符合RoHS指令。