3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 存儲器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz (最大值)

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 順序讀出功能

• 電源電壓低時禁止寫入功能

• 指令誤識別的防止寫入功能

• 重寫次數：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 數據保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出廠時數據：FFFFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 存儲器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz (最大值)

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 順序讀出功能

• 電源電壓低時禁止寫入功能

• 指令誤識別的防止寫入功能

• 重寫次數：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 數據保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出廠時數據：FFFFh

• 工作溫度範圍：Ta = −40°C ~ +85°C

• 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 存儲器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz (最大值)

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 順序讀出功能

• 電源電壓低時禁止寫入功能

• 指令誤識別的防止寫入功能

• 重寫次數：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 數據保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出廠時數據：FFFFh

• 工作溫度範圍：Ta = −40°C ~ +85°C

• 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 存儲器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz (最大值)

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 順序讀出功能

• 電源電壓低時禁止寫入功能

• 指令誤識別的防止寫入功能

• 重寫次數：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 數據保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出廠時數據：FFFFh

• 工作溫度範圍：Ta = −40°C ~ +85°C

• 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述：

• 本IC是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行EEPROM。容量分別為1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，構成分別 為64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自 動地增量。通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 存儲器容量

  S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

  S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

  S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

  S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (開發中)

  S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (開發中)

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz (最大值)

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 順序讀出功能

• 電源電壓低時禁止寫入功能

• 指令誤識別的防止寫入功能

• 重寫次數：106 次 / 字(Ta = +85°C)

• 數據保存期

  100年 (Ta = +25°C)

  50年 (Ta = +85°C)

• 首次出廠時數據：FFFFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛 (Sn 100%)、無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

• 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.8 V ～ 5.5 V

  寫入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別的寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

• 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.8 V ～ 5.5 V

  寫入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別的寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。

• 容量有1 K、2 K及4 K位,構成分別是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以連續讀出,這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.8 V ～ 5.5 V

  寫入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別的寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93C46B ：1 K位

  S-93C56B ：2 K位

  S-93C66B ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C76A(8K位)

描述：

• S-93C76A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量為8 K位，構成為512字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.8 v ～ 5.5 V

  寫入：2.7 V ～ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：10.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 重寫次數：106次/字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期：100年（Ta =+25℃時）, 20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量：8 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

3線串行 EEPROM S-93C86B(16K位)

描述：

• S-93C86B是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量為16 K位，構成為1024字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出： 1.8V ～ 5.5 V

  寫入： 2.7V ～ 5.5 V

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc = 4.5V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 可連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別時寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量：16 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.6V ～ 5.5 V

  寫入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別時寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.6V ～ 5.5 V

  寫入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別時寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

低電壓工作3線串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-93L46A/56A/66A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的3線串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位，構成分別是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.6V ～ 5.5 V

  寫入：1.8 V～ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：8.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• 指令誤識別時寫入防止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta =+85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta =+25℃時）

  20年（Ta =+85℃時）

• 存儲器容量

  S-93L46A ：1 K位

  S-93L56A ：2 K位

  S-93L66A ：4 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

低電壓工作 3線串行 EEPROM S-93L76A(8K位)

描述：

• S-93L76A是低電壓工作、高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的串行3線E2PROM。容量為8 K位，構成為512字×16位。可以連續讀出，這時的地址會按每16位自動地增量。

• 通訊方式為Microwire方式。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出：1.6 V ～ 5.5 V

  寫入：1.8 V ～ 5.5 V(WRITE, ERASE), 2.7 ～ 5.5 V(WRAL, ERAL)

• 工作頻率：2.0 MHz（Vcc =4.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：10.0 ms (最大值)

• 可以連續讀出：電源電壓低時寫入禁止功能

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta = +85℃時)

• 數據保存期

  100年（Ta = +25℃時）

  20年（Ta = +85℃時）

• 存儲器容量：8 K位

• 首次出廠數據：FFFFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位，構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 頁寫入功能

  S-24C02D : 8節 / 頁

  S-24C04D : 16節 / 頁

  S-24C08D : 16節 / 頁

  S-24C16D : 16節 / 頁

• 順序讀出功能

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 數據保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存儲器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 寫入保護：100%

• 首次出廠時數據：FFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位，構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 頁寫入功能

  S-24C02D : 8節 / 頁

  S-24C04D : 16節 / 頁

  S-24C08D : 16節 / 頁

  S-24C16D : 16節 / 頁

• 順序讀出功能

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 數據保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存儲器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 寫入保護：100%

• 首次出廠時數據：FFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位，構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 頁寫入功能

  S-24C02D : 8節 / 頁

  S-24C04D : 16節 / 頁

  S-24C08D : 16節 / 頁

  S-24C16D : 16節 / 頁

• 順序讀出功能

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 數據保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存儲器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 寫入保護：100%

• 首次出廠時數據：FFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述：

• 本IC是消耗電流低、工作電壓範圍廣的2線串行EEPROM。容量為2 K位、4 K位、8 K位、16K位，構成為256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.7 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率

  1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 頁寫入功能

  S-24C02D : 8節 / 頁

  S-24C04D : 16節 / 頁

  S-24C08D : 16節 / 頁

  S-24C16D : 16節 / 頁

• 順序讀出功能

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字(Ta = +25°C)

• 數據保存期：100年 (Ta = +25°C)

• 存儲器容量

  S-24C02D: 2 K位

  S-24C04D : 4 K位

  S-24C08D : 8 K位

  S-24C16D : 16 K位

• 寫入保護：100%

• 首次出廠時數據：FFh

• 工作溫度範圍：Ta = -40°C ~ +85°C

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述：

• S-24C32C/64C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。

• 容量為32 K位、64 K位，構成為4096字×8位、8192字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-24C32C : 32 K位

  S-24C64C : 64 K位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述：

• S-24C32C/64C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。

• 容量為32 K位、64 K位，構成為4096字×8位、8192字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-24C32C : 32 K位

  S-24C64C : 64 K位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24C128C(128K位)

描述：

• S-24C128C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為128 K位，構成為16384字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時: 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能：64字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率：400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量：128 K位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24C256C (256K位)

描述：

• S-24C256C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為256 K位，構成為32768字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能 64字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 組（Ta =＋25°C時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25°C時）

• 存儲器容量：256 K位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24C512C (512K位)

描述：

• S-24C512C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為512 K位，構成為65536字×8位。可進行頁寫入和順序讀出

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能 128字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 組（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量：512 K位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行 EEPROM S-24CM01C (1M位)

描述：

• S-24CM01C是低消耗電流、寬工作電壓範圍的2線串行E2PROM。容量為 1M位，構成為131072字×8位。可進行頁寫入和順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 頁寫入功能：256字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 工作頻率

  1.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

  400 kHz（Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、噪聲濾波器輸入端子（SCL, SDA）

• 低電源電壓時禁止寫入功能

• 重寫次數：106次 / 組（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量：1M位

• 備有寫入保護功能：100%

• 首次出廠數據：FFh

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

2線串行EEPROM用於DIMM SPD S-34C04A

描述：

• 本IC是可在1.7 V ~ 3.6 V範圍內工作，用於DIMM SPD的2線串行EEPROM。容量為4 K位，構成是2頁 × 256字 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。

• 本IC可在最大1.0 MHz的I2C-bus下工作。

特點：

• 頁寫入：16節 / 頁

• 順序讀出：電源電壓低時的禁止寫入功能

• 寫入保護：可按每4塊 (128字節 / 塊) 設置軟件保護

• 重寫次數：106次 / 字 (Ta = +25℃)

• 數據保存期：100年 (Ta = +25℃)

• 存儲器容量：4 K位

• 首次出廠時數據：FFh

• 遵從JEDEC規範：EE1004-1

• 消耗電流

  待機模式 : 3.0 μA (最大值)

  讀出模式 : 0.4 mA (最大值)

  寫入模式 : 2.0 mA (最大值)

• 工作電壓範圍：1.7 V ~ 3.6 V

• 工作頻率

  1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

  400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 3.6 V)

• 噪聲除去：備有施密特觸發器、帶噪聲濾波器輸入端子 (SCL, SDA)

• 工作溫度範圍：Ta = −20℃ ~ +125℃

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位，構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：16字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25％, 50％, 100％

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• CMOS施密特輸入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次/字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出廠數據：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位，構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：16字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25％, 50％, 100％

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• CMOS施密特輸入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次/字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出廠數據：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述：

• S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI串行E2PROM。容量為1 K、2 K、4 K位，構成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：16字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25％, 50％, 100％

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時寫入禁止功能

• CMOS施密特輸入（CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次/字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-25C010A : 1K位

  S-25C020A : 2K位

  S-25C040A : 4K位

• 首次出廠數據：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 8K 串行EEPROM S-25C080A(8K位)

描述：

• S-25C080A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的SPI 串行E2PROM。容量為8 K位，構成是1024字×8位。

• 可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc = 2.5 ~ 5.5 V）

• 寫入時間：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量：8 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C160A(16K位)

描述：

• S-25C160A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量為16 K位，構成是2048字×8位。 可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 時鐘頻率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次/字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（＋25℃時）

• 存儲器容量：16 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述：

• S-25C320A/640A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量為32 K位、64 K位，構成為4096字×8位、8192字×8 位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

• S-25C320A 32 K位

• S-25C640A 64 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述：

• S-25C320A/640A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。

• 容量為32 K位、64 K位，構成為4096字×8位、8192字×8 位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時： 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時： 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：32字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量

  S-25C320A 32 K位

  S-25C640A 64 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C128A(128K位)

描述：

• S-25C128A是高速、低消耗電流和寬工作電壓範圍的 SPI 串行 E2PROM。容量為128 K位，構成是16384字×8位。 可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 時鐘頻率：5.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：64字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能

  軟件、硬件

  25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 字（Ta =＋25℃時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25℃時）

• 存儲器容量：128 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

SPI 串行EEPROM S-25C256A (256K位)

描述：

• S-25C256A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。容量為256 K位，構成是32768字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：10.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：64字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 組（Ta =＋25°C時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25°C時）

• 存儲器容量：256 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

SPI 串行EEPROM S-25C512A (512K位)

描述：

• S-25C512A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。容量為512 K位，構成是65536字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：10.0 MHz（Vcc =2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

• 頁寫入功能：128字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 組（Ta =＋25°C時）

• 數據保存期：100年（Ta =＋25°C時）

• 存儲器容量：512 K位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素

SPI 串行EEPROM S-25CM01A (1M位)

描述：

• S-25CM01A系列是高速、低消耗電流、寬工作電壓範圍的SPI串行E2PROM。

• 容量為1 M位，構成是131072字×8位。可進行頁寫入、順序讀出。

特點：

• 工作電壓範圍

  讀出時 : 1.6 V ~ 5.5 V

  寫入時 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 工作頻率：10.0 MHz（ Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V）

• 寫入時間：5.0 ms ( 最大值 )

• 支持SPI模式（ 0, 0 ）&（ 1, 1 ）

• 頁寫入功能：256字節 / 頁

• 順序讀出功能

• 寫入保護功能：軟件、硬件

• 保護領域：25%, 50%, 100%

• 可通過狀態寄存器監視存儲器的寫入狀態

• 通過監視時鐘脈沖防止誤工作的功能

• 電源電壓低時的禁止寫入功能

• CMOS施密特輸入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

• 重寫次數：106次 / 組（ Ta = ＋25°C時）

• 數據保存期：100年（ Ta = ＋25°C時）

• 存儲器容量：1 M位

• 首次出廠數據：FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 無鉛

• Sn 100%

• 無鹵素