c_NV5032S-multi_e.pdf |
NV5032S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V 可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级 |
c_NV7050S-multi_e.pdf |
NV7050S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V 可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级 |
c_NV2520SA_NSA3458A_e.pdf |
NV2520SA
小型薄型:尺寸2520、高度0.9mm 频率可变范围:±100×10-6以上 工作温度范围:-40 to +85°C CMOS输出、低消耗电流 |
c_NV3225SA_NSA3457A_e.pdf |
NV3225SA
小型薄型:尺寸3225、高度0.9mm 频率可变范围:±100×10-6以上 工作温度范围:-40 ~ +85°C CMOS输出、低消耗电流 |
c_NV5032SB_e.pdf |
NV5032SB
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 低消耗电流 : Max. 10mA |
c_NV5032SA_e.pdf |
NV5032SA
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 62MHz to 170MHz 低消耗电流 : Max. 35mA |
c_NV5032SC_e.pdf |
NV5032SC
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音 (122.88MHz) : Typ. -127dBc/Hz (@1kHz), Typ. -156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 (122.88MHz) : Typ. 46mA 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 输出水平 : LVPECL
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c_NV7050SF_e.pdf |
NV7050SF
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 低消耗电流 : Max. 10mA |
c_NV7050SA_CMOS_e.pdf c_NV7050SA_PECL_e.pdf c_NV7050SA_NSA3459B_e.pdf |
NV7050SA
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围:35MHz to 170MHz 消耗電流:Max. 36mA |
c_NV7050SA_LPN_e.pdf |
NV7050SA(低相位噪音)
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音(122.88MHz):Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 (122.88MHz):Typ. 46mA 高频率对应 : 100MHz to 200MHz 输出水平:LVPECL |
c_NV7050SA_w-temp_e.pdf |
NV7050SA(高温范围)
可对应 -40 ~ +105°C的宽温度范围。 7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音:Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 :Typ. 46mA 高频率对应 : 122.88MHz 输出水平:LVPECL |
c_NV11M09YA_NSA3532A_e.pdf |
NV11M09YA
频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型) 低抖动:1ps以内 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M08YM_NSA3530A_e.pdf |
NV13M08YM
J插件型的表面贴装振荡器。 频率范围:从10MHz到125MHz(CMOS) 内置基波谐振器。 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf |
NV13M09WK
由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。 频率范围:10 MHz到125MHz(CMOS) 内置基波谐振器。 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf |
NV13M08YK
J插件型的表面贴装振荡器。 频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 低抖动:1ps以内 内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型) 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WN_NSA3529A_e.pdf |
NV13M09WN
由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。 频率范围:可对应70MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 低抖动:1ps以内 内置基波晶体谐振器。(210MHz以上为递倍型) 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M08YN_NSA3512A_e.pdf |
NV13M08YN
因为内置晶体谐振器,所以具有优良的频率温度特性。 低相位噪音、低抖动。(Max.50fs) |
c_NV11M09YA_NSA3533A_e.pdf |
NV11M09YA
通过外部输入,可选择622.08 MHz和FEC率(前向纠错码率)的频率中的任一个频率。 输出电压:LVPECL 为表面贴装型产品。 符合RoHS指令。 |