c_NX1610SA_e.pdf |
NX1610SA
超小型、薄型、量轻的表面贴片音叉型晶体谐振器。 超小型,薄型。(1.6×1.0×0.45mm)。 在消费类电子、移动通信用途发挥优良的电气特性。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX2012SA-STD-MUB-1_e.pdf |
NX2012SA
小型、薄型、量轻的表面贴片音叉型晶体谐振器。 小型,薄型(2.0×1.2×0.55mm)。 金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。 在消费类电子、移动通信用途发挥优良的电气特性。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX3215SA-STD-MUA-14_e.pdf |
NX3215SA
小型,薄型、量轻的表面封装音叉型晶体谐振器。 具备优良的耐热性、耐环境特性。 符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。 |
c_NX1612SB_e.pdf |
NX1612SB
为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。 由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。 在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。 超小型:12539;低高度(1612尺寸、高度0.45mm、max) 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX2016SF-STD-CTZ-1_e.pdf |
NX2016SF
为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。 由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。(以往晶体谐振器与温度传感器分别贴装在同一线路板上) 在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。由此,相比以往的晶体谐振器,可以改善其频率温度补正。 小型,低高度(2016尺寸、高度0.65mm、max) 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX2520SG_e.pdf c_NX2520SG-2_e.pdf |
NX2520SG
为晶体谐振器与热敏电阻的一体化构造。 由于与晶体谐振器的一体化,对于回路设计来说实现了空间的节省。(以往晶体谐振器与温度传感器分别贴装在同一线路板上) 在同一气密室内(即晶振体内)内置水晶片与温度传感器(热敏电阻),更能检出与水晶片相近的温度。由此,相比以往的晶体谐振器,可以改善其频率温度补正。 该种一体化构造最适用于铸模成型的产品。 |
c_NX1210AB_e.pdf |
NX1210AB
超小型、薄型的SMD晶体谐振器 超小型、薄型 (Typ(1.2×1.0×0.25mm, H:Max. 0.30mm)。 有高信赖性。 本制品的特性最适用于超小型Wireless LAN、Bluetooth。(短距离无线用途) 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX1612SA_e.pdf |
NX1612SA
超小型、薄型的SMD晶体谐振器 最适合用于可穿戴式设备和短距离无线模块等的小型设备。 超小型、薄型 (Typ. 1.6×1.2×0.3mm) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX2016HA_e.pdf |
NX2016HA
超小型、薄型(2.0 × 1.6 × 0.70mm)。 是性价比出色的产品 最适用于Tablet、TV、GAME机等用途。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求 |
c_NX2016SA_e.pdf |
NX2016SA
小型,薄型晶体谐振器。 超小型、薄型 (2.0×1.6×0.45mm) 。 具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐冲击性。 在办公自动化、家电相关电器领域及Bluetooth、Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX2016GB_e.pdf |
NX2016GB
具有高强的耐焊锡部裂缝的车载用高信赖,小型表面贴装晶体谐振器。 超小型,薄型。(2.0×1.6 H: Max. 0.8mm) 在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。 具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NX2520SA_e.pdf |
NX2520SA
最适用于Bluetooth、Wi-Fi等的短距离无线和智能手机、平板电脑等的基准时钟源。 小型、薄型 (2.5×2.0×0.50mm) 。 具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性 满足无铅焊接的回流温度曲线要求 |
c_NX3225SA_e.pdf c_NX3225SA-STD-CRS-2_e.pdf |
NX3225SA
最适用于Bluetooth、Wi-Fi等的短距离无线和智能手机、平板电脑等的基准时钟源。 小型、薄型 (3.2×2.5×0.55mm typ.) 。 具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性 满足无铅焊接的回流温度曲线要求 |
c_NX3225GA-STD-CRG-2_e.pdf c_NX3225GA-STD-CRA-1_e.pdf |
NX3225GA
小型表面贴片型晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域。 小型、薄型、量轻 (3.2×2.5×0.75mm typ.)。 具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐冲击性。 在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX3225HA_e.pdf |
NX3225HA
小型,薄型晶体谐振器。 小型、薄型 (3.2×2.5×0.80mm)。 最适用于Tablet、TV、GAME机等用途。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求 |
c_NX3225GB-STD-CRA-2_e.pdf |
NX3225GB
具备高的耐焊接开裂性能的车载用高信赖、小型表面封装晶体谐振器。 小型、薄型。 (3.2×2.5×0.75mm) 在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。 具有耐热、耐振、耐冲击等优良的耐环境特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q200标准。 对应低频(7.98 ~ 12MHz)的NX3225GD也加入了产品线。 |
c_NX3225GD-STD-CRA-3_e.pdf |
NX3225GD
小型表面贴片型晶体谐振器,最适合用于即使在汽车电子领域中也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分。 低频可从7.98MHz起对应。 小型、薄型。 (3.2 × 2.5mm typ., t1.0mm max.) 具备强防焊裂性。 在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性。 具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NX3225SC-STD-CRS-1_e.pdf |
NX3225SC
最适合TPMS(胎压检测系统)用途,用于受到严酷离心力影响的车胎中的信号发送单元的时钟信号发生源部分。 小型、薄型 (3.2×2.5×0.6mm) 即使在TPMS的信号发送端受到的严酷的离心力 (2000G)之下也能保持稳定的频率特性。 具备强防焊裂性。 具有耐热、耐振、耐冲击等优良的耐环境特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NX5032GA_e.pdf c_NX5032GA-STD-CSU-2_e.pdf |
NX5032GA
最适用于汽车配件和录像、音响器件的基准时钟源。 小型、薄型 (5.0×3.2×1.3mm typ.)。 可对应8MHz以上的频率。 具有优良的耐环境特性,如耐热性、耐振性 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX5032GB_e.pdf |
NX5032GB
小型表面贴片型标准晶体谐振器,适用于办公自动化、家电相关电器领域。 在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。 产品特长:低高度 (高度1.0mm typ.)。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX5032GC-STD-CSK-6_e.pdf |
NX5032GC
表面贴片型低高度晶体谐振器,适用于办公自动化、家电相关电器领域。 小型、薄型 (5.0×3.2×1.0mm typ.) 在办公自动化、家电相关电器领域可发挥优良的电气特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 低高度的特点最适用于笔记本电脑。 玻璃封装,具有与NX5032SA同样形状的4个PIN脚。 |
c_NX5032SA-STD-CSG-1_e.pdf |
NX5032SA
高精度小型表面贴片型晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域。 小型、薄型 (4.9×3.1×0.75mm typ.) 具备各类移动通信的基准时钟源用频率。 优良的电气特性、耐环境性能适用于移动通信领域。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NX5032SD-STD-CSY-1_e.pdf |
NX5032SD
小型表面贴片型晶体谐振器,可对应即使在汽车电子领域也是特殊的TPMS (胎压监测系统)用途。最适合用于受到严酷离心力影响的车胎中的信号发送单元的时钟信号发生源部分。 即使在TPMS的信号发送端受到的严酷的离心力 (2000G)之下也能保持稳定的频率特性。 具有耐热、耐振、耐撞击、耐热循环等优良的耐环境特性。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NX8045GB_e.pdf |
NX8045GB
小型,薄型晶体谐振器。 小型、薄型 (8.0 × 4.5 × 1.8mm typ.)。 可对应4MHz以上的频率。 最适用于消费类电子和汽车配件用途。 优良的耐环境特性,包括耐热性、耐冲击性等。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求 |
c_NX8045GE-STD-CJL-6_e.pdf |
NX8045GE
被要求高信赖性的车载用小型表面封装晶体谐振器。 可对应低频(4~ 8MHz)。 小型SMD封装 (8.0×4.5×2.0mm) 具有耐热、耐振、耐撞击等优良的耐环境特性。 高的耐焊接开裂性能使其封装在玻璃环氧树脂基板上,可实现3000个热循环。 可对应工作温度范围-40~+150℃。 符合无铅焊接的回流焊曲线特性。 |
c_AT-41-STD-LPH-9_e.pdf |
AT-41
使用金属封装的具有高稳定性、高可靠性的晶体谐振器。 使用金属封装,充分的密封可确保其高可靠性。 采用缠带包装,可对应自动贴装。 |
c_AT-41-STD-LPH-9_e.pdf |
AT-41CD2
使用金属封装的具有高稳定性、高可靠性的晶体谐振器。 支持表面贴装。 使用金属封装,充分的密封能确保其高可靠性。 采用缠带包装,可对应自动贴装。 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NR-2C-STD-CMB-4_e.pdf |
NR-2C
具有优越的频率稳定度,能覆盖广的频率范围的高可靠性晶体谐振器。 能满足严格的温度特性规格,具有优越的频率再现性和耐撞击性。 |
c_NR-2B-STD-CMB-1_e.pdf |
NR-2B
具有优越的频率稳定度,能覆盖广的频率范围的高可靠性晶体谐振器。 能满足严格的温度特性规格,具有优越的频率再现性和耐撞击性。 |
c_NX3215SE_e.pdf |
NX3215SE
特点: 可对应低ESR(等价串联电阻)的表面贴装音叉型晶体谐振器。 对应要求低ESR的微控制器(MCU)。(ESR: Max. 40kΩ) 在消费类电子、移动通信用途发挥优良的电气特性。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
NX2012SF
紧凑、薄型、量轻的晶体谐振器(2.0×1.2×0.55) 通过与特殊控制的医疗设备兼容的工艺设计实现了高质量。 优异的耐热性和环境特性确保了高可靠性。 满足无铅焊料满足回流曲线的要求。 |
c_NT2016SE_w-temp_e.pdf |
NT2016SE
可对应±0.5×10-6/-40~+105°C 具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性 高度:最高0.8 mm、体积:0.055px3、重量:0.008g,超小型、量轻。 为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q100/200标准。 可根据选择,使产品带有AFC(频率控制)功能。 |
c_NT2520SE_w-temp_e.pdf |
NT2520SE
可对应±0.5×10-6/-40~+105°C 具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性 高度:最高0.9 mm、体积:0.1px3、重量:0.014g,超小型、量轻。 为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q100/200标准。 可根据选择,使产品带有AFC(频率控制)功能。 |
c_NT2016SC_e.pdf |
NT2016SC
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008 g,超小型、量轻。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 带有Enable / Disable功能(Output1、2都带有) 也可选择AFC(频率控制)功能来代替Output2的Enable / Disable功能。 |
c_NT2016SB_l-voltage_e.pdf c_NT2016SB_GPS_e.pdf c_NT2016SB_ED_e.pdf |
NT2016SB
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.1 V to +3.4 V.) 具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性 高度:最高0.8 mm、体积:0.055px3、重量:0.008g,超小型、量轻。 带有Enable/Disable(Stand-by)功能。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NT2016SD_t-sensor_e.pdf |
NT2016SD
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008 g,超小型、量轻。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 带有温度感应电压输出功能。(0.95V typ. @+25°C, -8.7mV/(°C) typ.) 带有Enable / Disable(Stand-by)功能。 带有AFC(频率控制)功能。(可选择) |
c_NT2520SC_e.pdf |
NT2520SC
可对应CMOS输出。 为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014g,小型、量轻。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 带有Enable / Disable(Stand-by)功能。 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NT1612AA_AFC_e.pdf c_NT1612AA_AFC_e.pdf c_NT1612AA_GPS_e.pdf |
NT1612AA
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.55 mm、体积:0.0011 cm3、重量:0.004g,超小型、量轻。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 带有AFC(频率控制)功能。 |
c_NT2016SA_AFC_e.pdf c_NT2016SA_GPS_e.pdf c_NT2016SA_AFC_e.pdf |
NT2016SA
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.8 mm、体积:0.0022 cm3、重量:0.008g,超小型、量轻。 带有AFC(频率控制)功能。 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。
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c_NT2520SB_AFC_e.pdf |
NT2520SB
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014 g,小型、量轻。 带有AFC(频率控制)功能。 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NT3225SA_AFC_e.pdf c_NT3225SA_GPS_e.pdf c_NT3225SA_e.pdf |
NT3225SA
为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC+1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高1.0 mm、体积:0.007 cm3、重量:0.024 g,小型、量轻。 带有AFC(频率控制)功能。 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NT5032SC_AFC_e.pdf |
NT5032SC
为对应低电源电压的产品。(可对应DC+2.4 V±0.1 V to +3.3 V±5 %) 高度:最高1.5 mm、体积:0.022cm3、重量:0.06g,超小型、量轻。 带有AFC(频率控制)功能。 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 |
c_NT1612AB_GPS_e.pdf |
NT1612AB
具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性。 为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.55 mm、体积:0.0011 cm3、重量:0.004g,超小型、量轻。 带有Enable/Disable(Stand-by)功能。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。
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c_NT2520SD_GPS_e.pdf c_NT2520SD_ED_e.pdf |
NT2520SD
具有最适合于GPS用途的高稳定的频率温度特性。 为对应低电源电压的产品。 (可对应 DC +1.7 V to +3.3 V.) 高度:最高0.9 mm、体积:0.004 cm3、重量:0.014g,小型、量轻。 带有Enable/Disable(Stand-by)功能。 低消耗电流。 表面贴片型产品。(可对应回流焊) 无铅产品。满足无铅焊接的回流温度曲线要求。 符合AEC-Q100/200标准。 |
c_NT7050BB_e.pdf |
NT7050BB
最高工作温度 +105°C(温度特性± 0.5×10-6) 频率温度特性± 0.07 × 10-6(工作温度范围-10 to +70°C) 低消耗电流 : Max. 6mA 输出电压可选择CMOS或Clipped Sine。 采用小型封装:7.0×5.0×2.0mm |
c_NT7050BC_e.pdf |
NT7050BC
带有Enable/Disable(Stand-by)功能。 最高工作温度 +105°C(温度特性± 0.5×10-6) 频率温度特性± 0.07 × 10-6(工作温度范围-10 to +70°C) 低消耗电流 : Max. 6mA 输出电压可选择CMOS或Clipped Sine。 采用小型封装:7.0×5.0×2.0mm |
c_NT1612SA_GPS_e.pdf |
NT1612SA
最适合GPS的具有高度稳定频率/温度特性的晶体振荡器。 支持低电源电压。(支持 DC +1.68V ~+3.63V。标准规格:+1.8V) 超紧凑轻便,高度、体积和重量均分别为0.55mm、0.0011 cm3和 0.004g Max.。 表面贴装晶体振荡器。(可以进行回流焊。) 无铅。满足使用无铅焊料的回流曲线分析要求。 具有AFC(自动频率控制)功能。 |
c_NP5032S-multi_e.pdf |
NP5032S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V |
c_NP7050S-multi_e.pdf |
NP7050S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V |
c_NP3225SA_e.pdf |
NP3225SA
尺寸:3.2×2.5×0.9mm 电源电压:+2.5V或+3.3V LVPECL输出水平 低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz) |
c_NP3225SB_e.pdf |
NP3225SB
尺寸:3.2×2.5×0.9mm 电源电压:+2.5V或+3.3V LVDS输出水平 低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz) |
c_NP3225SC_e.pdf |
NP3225SC
尺寸:3.2×2.5×0.9mm 电源电压:+2.5V或+3.3V HCSL输出水平 低相位抖动(Typ. 0.15ps @156.25MHz) |
c_NP5032SA_e.pdf |
NP5032SA
小型:5.0×3.2×1.2mm 电源电压:+2.5V或+3.3V LVPECL输出水平 低相位抖动(Typ. 0.08ps @148.5MHz) |
c_NP5032SB_e.pdf |
NP5032SB
小型:5.0×3.2×1.2mm 电源电压:+2.5V或+3.3V LVDS输出水平 低相位抖动(Typ. 0.13ps @148.5MHz) |
c_NP5032SC_e.pdf |
NP5032SC
小型:5.0×3.2×1.2mm 电源电压:+2.5V或+3.3V HCSL输出水平 低相位抖动(Typ. 0.12ps @135MHz) |
c_7311S-DF_e.pdf c_7311S-DG_e.pdf c_7311S-GF_e.pdf c_7311S-GG_e.pdf |
7311S
低电源电压(+2.5V) LVDS输出水平 低相位抖动(1ps以下) |
c_NV5032S-multi_e.pdf |
NV5032S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V 可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级 |
c_NV7050S-multi_e.pdf |
NV7050S[ ]
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。 频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择 低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz) 可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL 为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V 可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级 |
c_NV2520SA_NSA3458A_e.pdf |
NV2520SA
小型薄型:尺寸2520、高度0.9mm 频率可变范围:±100×10-6以上 工作温度范围:-40 to +85°C CMOS输出、低消耗电流 |
c_NV3225SA_NSA3457A_e.pdf |
NV3225SA
小型薄型:尺寸3225、高度0.9mm 频率可变范围:±100×10-6以上 工作温度范围:-40 ~ +85°C CMOS输出、低消耗电流 |
c_NV5032SB_e.pdf |
NV5032SB
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 低消耗电流 : Max. 10mA |
c_NV5032SA_e.pdf |
NV5032SA
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 62MHz to 170MHz 低消耗电流 : Max. 35mA |
c_NV5032SC_e.pdf |
NV5032SC
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音 (122.88MHz) : Typ. -127dBc/Hz (@1kHz), Typ. -156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 (122.88MHz) : Typ. 46mA 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 输出水平 : LVPECL
|
c_NV7050SF_e.pdf |
NV7050SF
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz 低消耗电流 : Max. 10mA |
c_NV7050SA_CMOS_e.pdf c_NV7050SA_PECL_e.pdf c_NV7050SA_NSA3459B_e.pdf |
NV7050SA
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 输出水平:CMOS 可对应频率范围:35MHz to 170MHz 消耗電流:Max. 36mA |
c_NV7050SA_LPN_e.pdf |
NV7050SA(低相位噪音)
7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音(122.88MHz):Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 (122.88MHz):Typ. 46mA 高频率对应 : 100MHz to 200MHz 输出水平:LVPECL |
c_NV7050SA_w-temp_e.pdf |
NV7050SA(高温范围)
可对应 -40 ~ +105°C的宽温度范围。 7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。 低相位噪音:Typ. –127dBc/Hz (@1kHz), Typ. –156dBc/Hz (@100kHz) 低相位抖动 : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz) 低消耗电流 :Typ. 46mA 高频率对应 : 122.88MHz 输出水平:LVPECL |
c_NV11M09YA_NSA3532A_e.pdf |
NV11M09YA
频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型) 低抖动:1ps以内 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M08YM_NSA3530A_e.pdf |
NV13M08YM
J插件型的表面贴装振荡器。 频率范围:从10MHz到125MHz(CMOS) 内置基波谐振器。 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf |
NV13M09WK
由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。 频率范围:10 MHz到125MHz(CMOS) 内置基波谐振器。 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf |
NV13M08YK
J插件型的表面贴装振荡器。 频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 低抖动:1ps以内 内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型) 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M09WN_NSA3529A_e.pdf |
NV13M09WN
由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。 频率范围:可对应70MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL) 低抖动:1ps以内 内置基波晶体谐振器。(210MHz以上为递倍型) 可选择自主起振 / 自主停振功能 低电源电压:3.3V |
c_NV13M08YN_NSA3512A_e.pdf |
NV13M08YN
因为内置晶体谐振器,所以具有优良的频率温度特性。 低相位噪音、低抖动。(Max.50fs) |
c_NV11M09YA_NSA3533A_e.pdf |
NV11M09YA
通过外部输入,可选择622.08 MHz和FEC率(前向纠错码率)的频率中的任一个频率。 输出电压:LVPECL 为表面贴装型产品。 符合RoHS指令。 |
c_NW36M25LA_NSA3437A_e.pdf |
NW36M25LA
4输入,是对应SONET/SDH(同步光纤)网络的三级钟模块。 4输入的标准频率可从8kHz~77.76MHz间的9个频率中选择。 依据Telcordia GR-1244-CORE GR-253和ITU-T G.812/G.813。 输入标准频率断开时会自动切换。 支持主/从操作。 3输出:输出频率1可从12.96MHz~77.76MHz间的6个频率中选择,输出频率2、3为8kHz、1.544MHz 或 2.048MHz。 |
c_NW34M25WA_NSA3436A_e.pdf |
NW34M25WA
两种输入、输出:LVPECL、CMOS 输入标准断开时会自动转入自由振荡模式 锁定时间<1秒 |
c_NW19M12WAB_NSA3435A_e.pdf |
NW19M12WA
输入频率同时可获得输出频率。 通过VCXO的控制电压监视输出可监控锁定情况。 |
c_NW19M12WAB_NSA3435A_e.pdf |
NW19M12WB
输入频率同时可获得输出频率。 通过VCXO的控制电压监视输出可监控锁定情况。 |
c_NH14M09WA_NSA3540A_e.pdf |
NH14M09WA
小型、且具有优良的频率温度特性。 具有优良的老化率。 具有优良的相位噪音特性。 可对应宽温范围。(-40 到 +85°C) |
c_NH14M09TA_NSA3540F_e.pdf |
NH14M09TA
小型、且具有优良的频率温度特性。 具有优良的老化率。 具有优良的相位噪音特性。 采用了耐环境性能优良的的气密封止包装 可对应宽温范围。(-40到85°C) |
c_NH20M20LB_NH25M22TA_e.pdf |
NH20M20LB
小型、且具有优良的频率温度特性。 具有优良的老化率。 具有优良的相位噪音特性。 采用了耐环境性能优良的的气密封止包装。 可对应宽温范围。(-40到85°C) |
c_NH20M20LB_NH25M22TA_e.pdf |
NH25M22TA
小型、且具有优良的频率温度特性。 具有优良的老化率。 具有优良的相位噪音特性。 采用了耐环境性能优良的气密封止包装。 可对应宽温范围。(-40到85°C) |
c_NH37M28LK_e.pdf |
NH37M28LK
具有优良的频率温度特性。 可对应宽温范围(–40 to +85°C)。 可实现高精度的保持模式下的频率漂移特性(Typ. 1μs/8h)。 可通过数字控制(I2C Control)进行频率调整。(以往的模拟电压控制方式也可使用) |
c_NH37M28LN_e.pdf |
NH37M28LN
低高度、且具有优良的频率温度特性。 可对应宽温范围(–40 to +85°C)。 可通过数字控制(I2C Control)进行频率调整。(以往的模拟电压控制方式也可使用) |
c_NH20M20LC_NSA3604A_e.pdf |
NH20M20LC
小型,低高度。 具有优良的起动特性。 具有优良的相位噪音特性。(38.88MHz : -145dBc/Hz at 1kHz) |
c_NH25M22WH_NSA3628A_e.pdf |
NH25M22WH
具有优良的频率温度特性。 (Max.±3×10-9) 具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year) 具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz)
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c_NH25M22WG_e.pdf |
NH25M22WG
低高度、低电压型 低电耗。 (Max. 1W at +25℃) 从起振到平稳输出波形的时间很短。 具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year) 具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz) |
NH25M25TE.pdf |
NH25M25TE
可对应宽温范围。 (-40到+85°C) 具有优良的老化率。 (Max.±30×10-9/year) 具有优良的相位噪音特性。 (10MHz:在1Hz为-100dBc/Hz) 采用了耐环境性能优良的的气密封止包装。 |
c_NH26M26LC_NSA3539A_e.pdf |
NH26M26LC
小型,低高度。 具有优良的起动特性。 具有优良的相位噪音特性。(10MHz : -151dBc/Hz at 1kHz) 具有优良的老化率。(±50×10-9/year) |
c_NT14M09TA_NSA3543A_e.pdf |
NT14M09TA
低消费电流(Max. 35mA),且实现了±50×10-9/-40~85°C的优良的温度特性 具有优良的老化率。 具有优良的相位噪音特性。 采用了耐环境性能优良的气密封止包装 采用了与OCXO同尺寸的底座模式 |
c_NZ2016SH_e.pdf |
NZ2016SH
可对应 -40~+125℃的宽温范围。 尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。 可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NZ2520SH_e.pdf |
NZ2520SH
可对应 -40~+125℃的宽温范围。 尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NZ3225SH_e.pdf |
NZ3225SH
可对应 -40~+125℃的宽温范围。 尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频(从1.5MHz起)。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ2016SH_e.pdf c_NZ2016SH(32k)_e.pdf |
NZ2016SH(32.768kHz)
可对应 -40 ~ +125°C的宽温范围。 尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。 起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NZ2520SH(32k)_e.pdf |
NZ2520SH(32.768kHz)
可对应 -40~+125℃的宽温范围。 尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。 符合AEC-Q200标准。 |
c_NZ3225SH(32k)_e.pdf |
NZ3225SH(32.768kHz)
尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 起振时间可短于音叉型晶体谐振器(Typ. 1ms)。 |
c_NZ2520SHA_e.pdf |
NZ2520SHA
适合于安全类车载用途的高品质、高信赖性设计。 符合AEC-Q100/Q200标准。 可对应 -40~+125℃的宽温范围。 尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 可对应CMOS输出 |
c_NZ2016SD_e.pdf |
NZ2016SD
实现了最适合高音质音响的低相位噪音。 相位噪音 Fout ± 1kHz : Typ. -146dBc/Hz@ +3.3V、+25℃、Fout=26MHz 超小型、量轻:尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g 频率可覆盖1.5MHz to 60MHz间的广泛范围。 缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
NZ2520SD.jpg |
NZ2520SD
实现了最适合高音质音响的低相位噪音。 小型、量轻:尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g 频率可覆盖1.5MHz to 80MHz间的广泛范围。 缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ3225SD_e.pdf |
NZ3225SD
实现了最适合高音质音响的低相位噪音。 小型、量轻:尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g 频率可覆盖1.5MHz to 80MHz间的广泛范围。 缠带包装方式可对应自动搭载及红外线回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ2520SEA_e.pdf |
NZ2520SEA
具备简单的温度补偿功能的高精度钟用晶体振荡器。 可以做到-40~+85℃下±15×10-6以内的综合频率偏差。
工作温度范围-40~+85℃下,综合频率允许偏差为±15×10-6。 抑制高次谐波。(比通常-17dBm@输出40MHz、+2.8V、2.4GHz带) 外形尺寸是2.5×2.0×0.9mm。 |
c_NZ2016SF_e.pdf |
NZ2016SF
可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。 尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g,超小型、量轻。 频率可覆盖1.5MHz to 50MHz间的广泛范围。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ2520SF_e.pdf |
NZ2520SF
可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。 尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 频率可覆盖1.5MHz to 50MHz间的广泛范围。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ3225SF_e.pdf |
NZ3225SF
可驱动最适合于移动设备的超低电压(最低0.8V)。 尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g,小型、量轻。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 |
c_NZ2016SJ_e.pdf |
NZ2016SJ
小型、量轻:尺寸2.0×1.6mm、高度0.7mm、重量0.01g 低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。 为无铅产品。 |
c_NZ2520SJ_e.pdf |
NZ2520SJ
小型、量轻:尺寸2.5×2.0mm、高度0.9mm、重量0.02g 低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。 为无铅产品。 |
c_NZ3225SJ_e.pdf |
NZ3225SJ
小型、量轻:尺寸3.2×2.5mm、高度0.9mm、重量0.02g 低消费电流 (Max 0.70mA, @40MHz, +1.8V, No-load)。 为无铅产品。 |
c_2725N-1_e.pdf |
2725N
是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 可直接驱动CMOS 集成电路。 已实现与薄型IC(TSSOP封装、TVSOP封装)同样的1mm厚度。 断开时的消费电流是15 μA以下。(为40MHz以下) 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应) |
c_2735N-1_e.pdf |
2735N
是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 可直接驱动TTL集成电路。 已实现与薄型IC(TSSOP封装、TVSOP封装)同样的1mm厚度。 可对应频率范围:2.5 ~ 70MHz 断开时的消费电流是15 μA以下。(为40MHz以下) 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 |
c_2725T-1_e.pdf |
2725T
是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 、可驱动3.3V的产品。 可对应频率范围:2.5 ~ 125MHz 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。 |
c_2725Q-1_e.pdf |
2725Q
是综合频率允许偏差为 ±50×10-6 、可驱动2.5V的产品。 可驱动2.5V电源电压的低电耗型。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。 |
c_2725Z-1_e.pdf |
2725Z
是综合频率允许偏差为 ±100×10-6 的产品。 可驱动1.8V电源电压的低电耗型。 断开时的消费电流为3μA以下。 缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)。 为无铅产品。 尺寸5.0×3.2mm、高度1.0mm、重量0.06g,超小型、量轻。 |
c_NZ2016SHA_e.pdf |
NZ2016SHA
汽车安全的高质量和高可靠性设计 支持宽频率范围。(1.5~80MHz) 可对应 –40 ~ +125°C 的宽温度范围。 超紧凑和轻便。(2.0 × 1.6 × 0.7 毫米,H: 0.01 克) 低相位抖动 (Typ. 100fs (Frequency Offset: 12kHz to 20MHz)@80MHz, 3.3V) 输出规格 : CMOS 编带装置可实现自动安装 IR 回流焊(无铅) 符合 AEC-Q100/Q200 |
c_NZ2520SEB_e.pdf |
NZ2520SEB
整体频率公差最大。 –40 ~ +85°C 时为 ±25×10–6。 小巧轻便。(2.5×2.0×0.9 mm,H: 0.02 g )。 编带装置可实现自动安装 IR 回流焊(无铅) 符合 AEC-Q200。 |
c_NM7050SA_MN15-358_e 21E7.5AD.pdf |
21E7.5AD
可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应IR回流 ▪ VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。) 可对应表面贴装(为编带捆包)。 具有优良的耐热性和耐冲击性。 具有优良的保证衰减量。 频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz 也可生产3个极点的单片晶体滤波器(MCF)。 |
c_NM7050SA_MN15-358_e.pdf |
90E9A
可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。 可对应IR回流・VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。) 可对应表面贴装(为编带捆包)。 具有优良的耐热性和耐冲击性。 具有优良的保证衰减量。 频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz 也可生产3个极点的单片晶体滤波器(MCF)。 |
c_NM7050SA_e.pdf |
21E15AB
可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。
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21E30AD
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c_NM7050SA_e.pdf |
21E7.5A
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。
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c_NM7050SA_e.pdf |
21E15AA
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。
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MjAxNi0xMi0wNiAxMDozMDo1MS4yNTAwMDA3Nzk5Mw==.pdf |
21E30AF
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。
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c_NM7050SA_e.pdf |
45E7.5AB
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。 可对应IR回流・VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。) 可对应表面贴装(为编带捆包)。 具有优良的耐热性和耐冲击性。 频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz 也可生产3个极点的SMD型MCF。 |
c_NM7050SA_e.pdf |
45E15A
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。
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c_NM7050SA_e.pdf |
45E30AN
特点: 可对应表面贴装的晶体滤波器。 使用陶瓷基座,尺寸为 7×5×1.35 mm。 可对应广的频率范围。 可对应IR回流・VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。) 可对应表面贴装(为编带捆包)。 具有优良的耐热性和耐冲击性。 频率范围 基波: 20 ~ 90 MHz, 谐波: 60 ~ 150 MHz 也可生产3个极点的SMD型MCF。 |
c_NM1170BA_e.pdf |
45SC7.5BG
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。 可对应IR回流・VPS。(关于温度曲线图,请另商谈。) 可对应表面贴装(为编带捆包)。 搭载耦合电容。 具有优良的耐冲击性。 频率范围 基波:20 ~ 90MHz |
c_NM1170BA_e.pdf |
45SC15BE
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。
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c_NM1170BA_e.pdf |
45SC20BB
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。
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c_NM1170BA_e.pdf |
45SC30BD
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。
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c_NM1170BA_e.pdf |
70SC20BA
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。
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c_NM1170BA_e.pdf |
90SC15B
特点: 搭载耦合电容,可对应表面贴装的4极点晶体滤波器。
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sc-32s.pdf |
SC-32S
特点:
应用:
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SC-20S.pdf |
SC-20S
特点:
应用:
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ssp-t7.pdf |
SSP-T7-F
低频率SMD石英晶振 特点:
应用:
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SC-16S.pdf |
SC-16S
特点:
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SC-20T.pdf |
SC-20T
特点:
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SC-32T_.pdf |
SC-32T
特点:
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SC-32A.pdf |
SC-32A
特点:
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SC-32P.pdf |
SC-32P
特点:
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SSP-T7-FL.pdf |
SSP-T7-FL
特点:
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VT-200-FL.pdf |
VT-200-FL
低消耗电力微控制器用低CL晶振 特点:
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VT-120-F.pdf |
VT-120-F
低頻率石英晶振 特點:
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