2026-06-23
中國中車——IGBT、SiC器件
IGBT芯片及模塊產品覆蓋600V-6500V全電壓等級IGBT,
具有高電流密度、低開關損耗、高短路功能、低導通壓降、軟關斷特性、裕量大等特點;
SiC功率器件產品覆蓋750V-6500V SiC SBD和SiC MOSFET
具有高電流密度、低開關損耗、高短路功能、低導通壓降、軟關斷特性、裕量大等特點;
SiC功率器件產品覆蓋750V-6500V SiC SBD和SiC MOSFET
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