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晶振 | VCXO
NV5032S[ ]

 c_NV5032S-multi_e.pdf

NV5032S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级


NV7050S[ ]

 c_NV7050S-multi_e.pdf

NV7050S[ ]

频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能:2×10-9)。

频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择

低抖动特性:Typ. 130fs rms (@622.08MHz)

可对应5种输出方式:CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL

为对应低电源电压:+1.8V, +2.5V, +3.3V

可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6~±250×10-6的范围内分9个等级


NV2520SA

 c_NV2520SA_NSA3458A_e.pdf

NV2520SA

小型薄型:尺寸2520、高度0.9mm

频率可变范围:±100×10-6以上

工作温度范围:-40 to +85°C

CMOS输出、低消耗电流


NV3225SA

 c_NV3225SA_NSA3457A_e.pdf

NV3225SA

小型薄型:尺寸3225、高度0.9mm

频率可变范围:±100×10-6以上

工作温度范围:-40 ~ +85°C

CMOS输出、低消耗电流


NV5032SB

 c_NV5032SB_e.pdf

NV5032SB

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗电流 : Max. 10mA


NV5032SA

 c_NV5032SA_e.pdf

NV5032SA

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 62MHz to 170MHz

低消耗电流 : Max. 35mA


NV5032SC

 c_NV5032SC_e.pdf

NV5032SC

5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音 (122.88MHz) : Typ. -127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. -156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 (122.88MHz) : Typ. 46mA

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

输出水平 : LVPECL

 


NV7050SF

 c_NV7050SF_e.pdf

NV7050SF

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围 : 1.25MHz to 62MHz

低消耗电流 : Max. 10mA


NV7050SA

 c_NV7050SA_CMOS_e.pdf

 c_NV7050SA_PECL_e.pdf

 c_NV7050SA_NSA3459B_e.pdf

NV7050SA

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

输出水平:CMOS

可对应频率范围:35MHz to 170MHz

消耗電流:Max. 36mA


NV7050SA(低相位噪音)

 c_NV7050SA_LPN_e.pdf

NV7050SA(低相位噪音)

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音(122.88MHz):Typ. –127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 (122.88MHz) : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 (122.88MHz):Typ. 46mA

高频率对应 : 100MHz to 200MHz

输出水平:LVPECL


NV7050SA(高温范围)

 c_NV7050SA_w-temp_e.pdf

NV7050SA(高温范围)

可对应 -40 ~ +105°C的宽温度范围。

7.0 × 5.0mm的小型陶瓷封装品。

低相位噪音:Typ. –127dBc/Hz (@1kHz),   Typ. –156dBc/Hz (@100kHz)

低相位抖动 : Typ. 0.13ps (12kHz to 20MHz)

低消耗电流 :Typ. 46mA

高频率对应 : 122.88MHz

输出水平:LVPECL


NV11M09YA

 c_NV11M09YA_NSA3532A_e.pdf

NV11M09YA

频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型)

低抖动:1ps以内

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


NV13M08YM

 c_NV13M08YM_NSA3530A_e.pdf

NV13M08YM

J插件型的表面贴装振荡器。

频率范围:从10MHz到125MHz(CMOS)

内置基波谐振器。

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


NV13M09WK

 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M09WK

由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。

频率范围:10 MHz到125MHz(CMOS)

内置基波谐振器。

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


NV13M08YK

 c_NV13M09WK_NSA3528A_e.pdf

NV13M08YK

J插件型的表面贴装振荡器。

频率范围:可对应75MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

低抖动:1ps以内

内置基波谐振器。(210MHz以上是递倍型)

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


NV13M09WN

 c_NV13M09WN_NSA3529A_e.pdf

NV13M09WN

由玻璃环氧电路板作基座,和金属外壳构成此款SMD振荡器。

频率范围:可对应70MHz到800MHz间的广的频率带。(PECL)

低抖动:1ps以内

内置基波晶体谐振器。(210MHz以上为递倍型)

可选择自主起振 / 自主停振功能

低电源电压:3.3V


NV13M08YN

 c_NV13M08YN_NSA3512A_e.pdf

NV13M08YN

因为内置晶体谐振器,所以具有优良的频率温度特性。

低相位噪音、低抖动。(Max.50fs)


NV11M09YA

 c_NV11M09YA_NSA3533A_e.pdf

NV11M09YA

通过外部输入,可选择622.08 MHz和FEC率(前向纠错码率)的频率中的任一个频率。

输出电压:LVPECL

为表面贴装型产品。

符合RoHS指令。